MOSFET, P, SOT-23Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On State Resistance:100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Voltage Vgs Max:-950mV; Transistor Case Sty;

MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, SOT23Polarità transistor:Canale P; Corrente, Id max:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; Resistenza in stato di conduzione:90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Voltage Vgs Max:8 V; Dissipazione di potenza:1.6 W; Operating Te

MOSFET, N, D2-PAKPolarità transistor:N; Max Current Id:11 A; Max Voltage Vds:600V; Resistenza in stato di conduzione:0,38ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Dissipazione di potenza:125W; Operating Temperature Range:-55ºC to +150ºC;

MOSFET, N, TO-263Polarità transistor:N; Max Current Id:17A; Max Voltage Vds:800V; Resistenza in stato di conduzione:0,29ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Dissipazione di potenza:227W; Operating Temperature Range:Da -55°C a +150°C;

MOSFET, N, COOLMOS, TO-220Polarità transistor:N; Max Current Id:17A; Max Voltage Vds:800V; Resistenza in stato di conduzione:0,29ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Dissipazione di potenza:208W; Operating Temperature Range:Da -55°C

MOSFET, N, COOLMOS, TO-247Polarità transistor:N; Max Voltage Vds:800V; Resistenza in stato di conduzione:0,29ohm; Dissipazione di potenza:208W; Operating Temperature Range:Da -55°C a +150°C; Transistor Case Style:TO-247; N. of Pins:3; SVHC:Cobalt dich

N-FET 600V 10A 115W 0,75R= BUZ91AF